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OFweek 2021人工智能在线系列活动】-轿车电子技能在线会议暨在线展
国民技能发布NS3KW53V5L2参阅计划：根据SiC的3kW两相交织LLC数字电源
? 01?AI算力迸发，电源进入“高功率密度”年代 AI算力正在重塑数据中心的供电逻辑。单个GPU机柜的功率已从约10kW级攀升到200kW以上，并有向兆瓦级跨进的趋势，十年间涨了上百倍。供电架构随之
经过使用优化的电荷耦合技能，可提供极高功率的功率MOSFET-SSx65R090F
功率MOSFET是电压操控型开关器材，靠栅极电压构成的电场来导通或关断漏源之间的电流，而不是靠注入电流。功率MOSFET大范围的使用于服务器电源（包含AI服务器）、数据中心、工业设备、充电适配器、光伏逆变
SS6208-12V半桥驱动器，8A峰值+1MHz高频，适配电子烟、无线充半桥使用
半桥拓扑在功率电子规划中，掩盖无线充电发射、电机驱动、DCDC 改换、电子烟加热操控等很多使用；传统计划选用“分立MOSFET+栅极驱动IC”，不仅占很多PCB面积，更因寄生参数引发的振铃和开关损耗而
选用先进超结技能和下降开关损耗的650V超结功率MOS管-SSx65R070FR
超结功率MOSFET，全称超级结金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种根据电荷平衡与横向耗尽原理规划的高压功率半导体器材。它经过在传统MOSFET的漂移区内构建替换摆放的P型与N型柱状结构，成功突破了硅
专为低导通电阻和高细胞密度使用规划的N沟道功率MOSFET-DH090NG-S
比较P沟道，N沟道有几个硬优势：?导通电阻更低?，意味着相同电流下发热更少、功率更加高 。并且载流子是电子，搬迁速度快，开关损耗也小 。别的，N沟道器材?更简单制作且本钱更低?，所以市面上常见的功率MO
可完成极低的导通电阻和栅极电荷的N型550V功率MOSFET-SSx55R160F
功率MOSFET是靠电压操控开关的器材?，栅极加电压构成沟道让电流经过，不加电压就关断，就像用水龙头操控水流相同。??栅极和源极之间加电压UGS，当UGS超越阈值电压UT时，栅极下方的P型半导体外表反